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快科技4月16日消息,星明三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,年量可用的产层堆叠层数达290层,相比现在的闪存澳门正版管家婆资料大全236层只增加不到23%。
这一代新闪存将采用新的人瞄堆叠架构,底部是准层澳门彩正版资料大全CMOS层加逻辑电路,上边是星明145层闪存阵列,再上边又是年量145层闪存阵列。
这种方法虽然更复杂 ,产层但是闪存良品率可以得到很好的保障,而且可以轻松进一步拓展。人瞄
按照三星的准层规划,2025年下半年将量产第十代V-NAND,星明四不像车进一步堆叠到430层。年量
更遥远的产层未来 ,三星可能会在2030年左右做到1000层。
中国长江存储可能会在今年下半年量产300层 ,SK海力士计划明年初量产321层,铠侠号称2031年量产1000多层!
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